سامسونج ستطلق ذاكرة V-NAND القادمة مع 290 طبقة هذا العام
كشفت سامسونج رسميًا عن خططها للارتقاء بصناعة ذاكرة فلاش NAND إلى مستوى جديد، إذ أكدت الشركة تطويرها ذاكرة V-NAND من الجيل العاشر مع 430 طبقة مكدسة، وهو عدد هائل جدًا من الطبقات.
وقد تعافت أسواق ذاكرة فلاش NAND بسرعة من حالتها الاقتصادية السيئة في الأشهر الماضية بسبب ضبط مستويات المخزون وارتفاع طلب المستهلكين للذواكر.
ويبدو أن سامسونج تريد أن تستفيد من هذا الانتعاش في سوق ذاكرة فلاش NAND بإعلان ذاكرة V-NAND من الجيل التاسع، إذ يأتي هذا النوع مع 290 طبقة مكدسة فوق بعضها بعضًا، مما يضع معيارًا جديدًا لرقاقات الذاكرة المستخدمة في أقراص التخزين SSD.
وتفيد وسائل الإعلام الكورية بأن سامسونج تخطط لإطلاق ذاكرة V-NAND من الجيل التاسع بحلول الشهر المقبل، خلفًا للجيل السابق الذي أتى مع 236 طبقة مكدسة.
وحتى الآن، تبدو سامسونج متفوقةً جدًا على المنافسين مثل شركة Kioxia، و SK Hynix، وميكرون، و YMTC، في تنفيذ التقنيات المتقدمة، فقد أعلنت الشركة الكورية أيضًا تطوير ذاكرة V-NAND مع 430 طبقة مكدسة من الجيل العاشر والمتوقع إطلاقها في العام المقبل.
وتعد تقنية التكديس المزدوج (double stacking) من مزايا عملية إنتاج ذاكرة NAND من الجيل التاسع، التي تركز على تكديس المزيد من الطبقات في القنوات المتعددة للذاكرة. وتستخدم هذه التقنية الكهرباء لربط الخلايا الفردية معًا، وهي أرخص بكثير من طرق التكديس التقليدية.
وتسعى الشركات الصانعة جاهدة إلى تحقيق هدفها الطموح وهو تطوير ذاكرة 3D NAND مع 1000 طبقة مكدسة بحلول عام 2030.
