أجهزة محمولة

سامسونج تكشف عن بطاقات الذاكرة microSD بأداء فائق

كشفت شركة سامسونج عن بطاقة الذاكرة SD Express microSD بحجم قدره 256 جيجابايت التي تتميز بسرعة قراءة متسلسلة تصل إلى 800 ميجابايت/ الثانية، كما بدأت الإنتاج بكميات ضخمة لبطاقة الذاكرة microSD بحجم قدره 1 تيرابايت من فئة UHS-1.

وفي حين أن سرعات القراءة لبطاقات الذاكرة microSD التقليدية، التي تعتمد على واجهة UHS-1، لا تتجاوز 104 ميجابايت/ الثانية، فقد تمكنت بطاقة الذاكرة SD Express من رفع سرعتها لتصل إلى 985 ميجابايت/ الثانية.

وتصل سرعة القراءة المتسلسلة لبطاقة الذاكرة SD Express microSD إلى 800 ميجابايت/ الثانية، وهي أسرع بمرة ونصف من أقراص SATA SSD التي تصل إلى 560 ميجابايت/ الثانية، وأسرع بأربع مرات من بطاقات الذاكرة UHS-1 التقليدية التي تصل إلى 200 ميجابايت/ الثانية؛ مما يسمح بتجارب حوسبة محسّنة في التطبيقات المتنوعة، ومن ذلك أجهزة الحواسيب والأجهزة المحمولة.

وقال هانج وو سون، نائب الرئيس لفريق عمل منتجات الذاكرة في سامسونج: “بتقديم بطاقات microSD الجديدة، وفرت سامسونج حلولًا فعالة لمواجهة الطلب المتزايد للحوسبة المتنقلة والذكاء الاصطناعي في الأجهزة. ومع أن تصميمها صغير، فإن هذه البطاقات تقدم أداءً وحجمًا هائلين مشابهين لأقراص الحالة الصلبة (SSD) مما يساعد المستخدمين في الاستفادة كثيرًا من التطبيقات الحديثة والمستقبلية”.

ولضمان الأداء المستقر والموثوقية، تعمل تقنية Dynamic Thermal Guard (DTG) على الحفاظ على درجة الحرارة المثالية لبطاقة الذاكرة SD Express microSD حتى في أثناء الاستخدام المتواصل.

وتأتي بطاقة الذاكرة الجديدة microSD بحجم قدره 1 تيرابايت، بفضل تكديس 8 طبقات من ذاكرة V-NAND من الجيل الثامن، مما يقدم حجم ذاكرة لم يكن من الممكن تحقيقه إلا في أقراص الحالة الصلبة (SSD).

وتجتاز بطاقة الذاكرة microSD، بحجم قدره 1 تيرابايت، أكثر اختبارات الصناعة صرامة وتوفر استخدامًا موثوقًا به حتى في البيئات الصعبة، مع مزايا مثل الحماية من الماء، وارتفاع درجات الحرارة الشديدة، والتصميم المقاوم للصدمات، والحماية من التلف، بالإضافة إلى الحماية من الأشعة السينية والمغناطيس.

أخيرًا، ستتوفر بطاقة الذاكرة SD Express microSD بحجم قدره 256 جيجابايت في وقت لاحق من هذا العام، ومن المقرر إطلاق بطاقة الذاكرة microSD بحجم قدره 1 تيرابايت من فئة UHS-1 في الربع الثالث من هذا العام.

زر الذهاب إلى الأعلى