سامسونج تطور الجيل التالي من ذاكرة 3D DRAM
تضاعف سامسونج جهودها في مجال رقاقات الذاكرة من خلال افتتاح مختبر أبحاث جديد في وادي السيليكون بالولايات المتحدة الأمريكية.
ويركز هذا المختبر التابع لعملاقة التكنولوجيا الكورية الجنوبية على تطوير الجيل القادم من تقنية ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية الثلاثية الأبعاد 3D DRAM المشار إليها غالبًا باسم “ذاكرة الحلم”.
ويعمل المختبر الجديد تحت إدارة شركة Device Solutions America المشرفة على إنتاج أشباه الموصلات لشركة سامسونج في الولايات المتحدة.
وتهدف سامسونج من خلال ذلك إلى المحافظة على مكانتها بصفتها شركة رائدة في تصنيع شرائح الذاكرة في العالم.
وقالت العملاقة الكورية الجنوبية في شهر أكتوبر إنها تجهز هياكل ثلاثية الأبعاد جديدة لذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية التي يقل حجمها عن 10 نانومتر.
وذكرت وكالة يونهاب للأنباء أنه من المتوقع أن تنتج هذه التكنولوجيا المتقدمة شرائح ذاكرة وصول عشوائي ديناميكية ذات سعة مرتفعة تصل إلى 100 جيجابايت لكل شريحة.
يشار إلى أن سامسونج ليست جديدة على التقدم الرائد في مجال الذاكرة، إذ أصدرت ذاكرة ناند فلاش NAND العمودية الثلاثية الأبعاد التجارية أول مرة في عام 2013.
وقد تصبح سامسونج الآن الشركة الأولى التي تطور ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية الثلاثية الأبعاد.
وتوصف ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية الثلاثية الأبعاد بأنها قادرة على تغيير قواعد اللعبة في صناعة أشباه موصلات الذاكرة، ومن المرجح أن تحدث ثورة في مشهد السوق العالمية لذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية.
وتمتلك ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية الحالية بنية ثنائية الأبعاد مع خلايا مرتبة بكثافة على مستوى واحد.
وتستطيع ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية الثلاثية الأبعاد تحسين الأداء عن طريق زيادة الكثافة في المنطقة نفسها، إما عن طريق وضع الخلايا أفقيًا وتكديسها أو باستخدام الطريقة العمودية ببنية خلية مزدوجة الطبقة.
وتأتي هذه الخطوة مع انتعاش سوق شرائح الذاكرة بعد عام عصيب. وواجه قسم أشباه الموصلات في سامسونج خلال العام الماضي خسارته الأولى بسبب تراجع سوق الرقاقات.
ودفعت طفرة الخوادم السحابية بعد فيروس كورونا العديد من شركات التكنولوجيا إلى طلب كميات كبيرة من رقاقات الذاكرة.
وأدى الانكماش الاقتصادي العالمي إلى انخفاض الطلب، مما أدى إلى زيادة المعروض من رقاقات الذاكرة وانخفاض الأسعار.
وارتفعت أسعار شرائح الذاكرة مرة أخرى بفضل طلب خوادم الذكاء الاصطناعي المدفوعة بأدوات، مثل ChatGPT.
ويتوقع الخبراء أن يكون عام 2024 عامًا قويًا لشركة سامسونج وغيرها من الشركات المصنعة لأشباه الموصلات، مثل Micron و SK Hynix.
وقد يؤدي تركيز سامسونج على ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية المتقدمة إلى شراكتها مع إنتل.
وتعد رقاقات ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية من نوع LPDDR5X مرشحة محتملة لمعالجات Lunar Lake القادمة من إنتل المقرر إصدارها في وقت لاحق من هذا العام.
وقد تعزز الشراكة بين سامسونج وإنتل مكانة العملاقة الكورية الجنوبية في سوق شرائح الذاكرة.
