أخبار الإنترنت

افتتاح مصنع إنتل Fab 9 بتكلفة تصل إلى 3.5 مليارات دولارٍ لتعزيز إنتاج الرقاقات في أمريكا

في عام 2021 كشف الرئيس التنفيذي لشركة إنتل بات جيلسنجر عن استثمار مالي ضخم بقيمة تبلغ 3.5 مليارات دولارٍ في إحدى منشآتها في مدينة ريو رانشو، من ولاية نيو مكسيكو. ومع بداية عام 2024 استطاعت إنتل افتتاح مصنعها المتطور والمعروف باسم Fab 9 رسميًا في تلك الولاية بعد اكتمال مرحلة التطوير.

ويُعد استثمار إنتل مبلغًا قدره 3.5 مليارات دولارٍ في مدينة ريو رانشو فرصة حقيقة لزيادة عدد الموظفين، فلقد سمح هذا المصنع بتوظيف المئات من الموظفين في المجال التقني، إضافة إلى 3500 وظيفة أخرى في جميع أنحاء الولاية.

وعلق على هذا الافتتاح المهم كيفان إسفارجاني، نائب الرئيس التنفيذي ومسؤول العمليات العالمية الأول في إنتل قائلًا: “نحتفل اليوم بافتتاح المصنع الأول والوحيد في الولايات المتحدة الأمريكية الذي ينتج حلول تجميع وتغليف المكوّنات الإلكترونية ورقاقات المعالجات الأكثر تطورًا في العالم. تقنية Cutting Edge المتطورة من إنتل تمنح عملاءنا مزايا حقيقية في تحسين مستوى الأداء وبنية الرقاقة والمرونة الكبيرة في التصميم. تهانينا لفريق نيو مكسيكو وعائلة إنتل بأكملها وموردينا وشركائنا المتعاقدين الذين يتعاونون ويدفعون بلا هوادة حدود ابتكار تقنية التغليف”.

افتتاح مصنع إنتل Fab 9 بتكلفة تصل إلى 3.5 مليار دولارٍ لتعزيز إنتاج الرقاقات في أمريكا

يبدو أن مصنع Fab 9 سيركز على إنتاج حزمات التغليف المتطورة EMIB و Foveros وذلك وفقًا للبيان الرسمي الصادر من إنتل. هذه التقنيات تستخدمها إنتل لتكديس الرقاقات وتعتمدها كذلك أثناء تصميم الوحدات المتعددة الرقاقات التي تعرف باسم (Chiplet).

هذا النوع من التصميم تعتمد عليه AMD بوضوح مع وحدات المعالجة المركزية ووحدات معالجة الرسوم التي تنتجها شركة أشباه الموصلات العملاقة TSMC. تجدر الإشارة إلى أن تقنية Foveros تعمل على تكديس رقاقة على رقاقة (chip-on-chip) عموديًا، وقد اعتمدت عليها إنتل مع المعالجات المركزية Meteor Lake.

اللافت أيضًا، أن مصنعي Fab 9 و Fab 11x هما أول منشأة ضخمة من إنتل لإنتاج تقنية التغليف الثلاثية الأبعاد بكميات ضخمة، إذ يمكن لهذه المنشأة تصنيع مراحل التكديس ثم تجميعها وإنتاجها كرقاقة متكاملة؛ مما يسمح بإنتاجية أفضل بكثير بدلًا من الاضطرار إلى شحن أجزاء غير مكتملة من بنية الرقاقة إلى عدة مصانع أخرى.

زر الذهاب إلى الأعلى