×
×

إنتل تتم مرحلة التطوير للجيل المقبل من عملية التصنيع 32 نانومتر

أتمت شركة إنتل مرحلة التطوير للجيل المقبل من عملية تصنيعها المبتكرة والتي ستؤدي إلى تقليص دارات الرقاقات إلى 32 نانومتر (النانومتر يساوي واحد من مليار جزء من المتر)، وتسير الشركة حسب ما هو مخطط استعداداً لإنتاج هذا الجيل المستقبلي في الربع الرابع من العام 2009 باستخدام ترانزستورات أكثر كفاءة في استهلاك الطاقة، وأعلى كثافة، وأفضل أداء.

خلال ملتقى الأجهزة الإلكترونية الدولي (IEDM) في سان فرانسيسكو، قدمت إنتل تفاصيل تقنية هائلة عن تقنية التصنيع 32 نانومتر، وأعلنت عن انتهاء الشركة من مرحلة التطوير لتقنية التصنيع 32 نانومتر والاستعداد للإنتاج خلال هذه الفترة الزمنية مما يعني أن إنتل ما تزال تسير حسب إستراتيجيتها الطموحة في المنتجات وتقنية التصنيع والتي يطلق عليها “تيك-توك”.

وترتكز هذه الإستراتيجية حول تقديم معمارية جديدة بالكامل للمعالج، ثم عملية تصنيع مطوَّرة، بالتناوب كل 12 شهراً تقريباً، في إطار جهود لا مثيل لها في الصناعة. وبإنتاج رقاقات 32 نانومتر العام المقبل تكون إنتل قد نجحت بتحقيق هدفها في هذا المجال للعام الرابع على التوالي.

تشرح الورقة التقنية والعرض الخاصين بتقنية 32 نانومتر المقدمين من إنتل دارات منطقية تضم الجيل الثاني من تقنية البوابة المعدنية ذات معامل العزل العالي الإضافي، وأسلوب الطباعة الغامرة عيار 193 نانومتر لوضع طبقات الدارات بدقة، وتعزيز مقاومة الترانزستورات للإجهادات. وتحسن هذه الخصائص من الأداء وترفع من الكفاءة في استهلاك الطاقة في معالجات إنتل. وتقدم تقنية التصنيع 32 نانومتر من إنتل أعلى أداء وأعلى كثافة للترانزستورات مقارنة بجميع تقنيات 32 نانومتر الأخرى في الصناعة.

وقال مارك بور، كبير الباحثين في إنتل ومدير معمارية وتكامل عمليات التصنيع: “لقد ساعدتنا قدراتنا ومهاراتنا في التصنيع وما أثمرت عنه من منتجات، على استمرار ريادتنا في مجالات الأداء وعمر البطارية في الحواسيب المحمولة والمكتبية والخوادم المرتكزة على منتجات إنتل. وكما بينا هذا العام، فإن إستراتيجية التصنيع والتنفيذ منحتنا القدرة أيضاً على تقديم خطوط منتجات جديدة بالكامل موجهة لأجهزة الإنترنت النقالة، والإلكترونيات الاستهلاكية، والحواسيب المضمنة، وحواسيب الإنترنت المحمولة (نتبوك)”.

وناقشت أوراق إنتل الأخرى في ملتقى الأجهزة الإلكترونية الدولي (IEDM) النسخة منخفضة استهلاك الطاقة من النظام على رقاقة (SoC) بتقنية التصنيع 45 نانومتر من إنتل، والترانزستورات المرتكزة إلى أشباه الموصلات المركبة، وهندسة المواد التي تحسِّن من أداء ترانزستورات 45 نانومتر، واستخدام الصقل الكيميائي الميكانيكي لعقد 45 نانومتر وما بعدها، ودمج مجموعة من أجهزة تعديل فوتونات السليكون. كما تشارك إنتل في دورة قصيرة بالملتقى عن تقنية CMOS عيار 22 نانومتر.

  • 10208
  • أخبار قطاع الأعمال
  • itc-company-news
Dubai, UAE