سانديسك تعلن عن البدء بانتاج بطاقات ذاكرة الفلاش (x3) NAND flash memory بالجملة
أعلنت شركة “سانديسك” اليوم عن أنها ستبدأ بانتاج بطاقات ذاكرة الفلاش ناند (×3) (x3) NAND flash memory بالجملة خلال شهر مارس 2008. إن بطاقة الفلاش ناند (×3) بسعة 16 جيجابايت والتي تستخدم تكنولوجيا 56 نانوميتر، توفر سعة تخزينية أكبر بحوالي 20 بالمائة مقارنة بذاكرة ناند القياسية ذات الخلية متعددة المستويات NAND Multi-Level Cell. وقد تم تطوير بطاقة فلاش (× 3) الجديدة خلال العامين الماضيين وهي الآن تستخدم أخر مبتكرات وتصميمات “سانديسك” الأكثر تقدما لتحقيق نفس الأداء والموثوقية العالية التي نجدها في رقائق سانديسك 2-bits-per-cell chips. وقد تم تطوير تكنولوجيا (×3) بالاشتراك مع شركة “توشيبا” التي تشارك سانديسك بتطوير وتصنيع رقائق ذاكرة فلاش المتقدمة.
وقال خاندكر قويدر، نائب الرئيس الاول لـسانديسك لشؤون تطوير المنتجات وتصميم ذاكرة فلاش: ” لقد قمنا باستخدام كل من تقنية (أولبيت لاين) All Bit Line الحاصلة على براءة اختراع مع نظم البرمجة المتقدمة ونظم إدارة تخزين البيانات المتعددة المستويات للتغلب على تحديات تطوير رقائق ذاكرة الفلاش ناند (×3) بدون التنازل عن الأداء أو الموثوقية الأمر الذي مهد الطريق لاستخدام (×3) على نطاق واسع في العديد من خطوط إنتاج سانديسك. نحن نعتبر ان رقائق (×3) منعطفاً تجارياً كبيراً في مجال بطاقات ذاكرة الفلاش والذي سيكون له تأثير ايجابي على سعة الأجيال القادمة من بطاقات “ناند فلاش”.”
وتؤمن “سانديسك” أن استحداث تكنولوجيا 3-bits-per-cell مع سرعة كتابة توازي ذاكرة (أم ال سي) MLC يضع “سانديسك” في مكانة تتيح لها ان تلبي حاجة السوق المتنامية على بطاقات ذاكرة الفلاش الاكثر كثافة لمجموعة كبيرة من التطبيقات وبتكلفة أقل كثيراً بالمقارنة مع تقنية 2-bits-per-cell MLC . إن خبرة مستويات النظم المتقدمة تعتبر لا غنى عنها لإنتاج بطاقات ذاكرة الفلاش ناند (×3) وعليه فأن خبرة سانديسك في مستويات النظم تكفل مزايا تنافسية فريدة لاستثمار قوة تكنولوجيا ناند × 3 في المستقبل.
