سامسونج تعلن عن تفاصيل ذاكرة DRAM الجديدة بتقنية TSV

كشفت شركة سامسونج عن تفاصيل ذاكرة DRAM الجديدة – التي تعمل على تطويرها – بتقنية TSV ، والتي تتكون من أربعة شرائح DDR2 DRAM 512 ميجا بايت لتوفر ذاكرة مزدوجة فائقة الكثافة.

ومن شأن استخدام تقنية ذاكرة DRAM 2 جيجا بايت التي تعمل بتقنية TSV زيادة سرعة وكفاءة الشريحة مع تقليل حجمها واستهلاكها للكهرباء.

جدير بالذكر أن شركة آي بي إم أعلنت عن طفرة في شرائح الذاكرة الشهر الماضي والتي تعمل أيضًا بتقنية TSV، حيث تعتزم طرح عينة منها في النصف الثاني من عام 2007.

هذا وقد أعلنت شركة سامسونج أنه من المقرر طرح شرائح الذاكرة الجديدة في عام 2010.