العلماء يبتكرون مادة جديدة لتصنيع الترانزستور بدلا من السيليكون

يخطط المهندسون في معهد ماسوشيتس للتكنولوجيا لتقديم مادة جديدة لتصنيع الترانزستور في الأسبوع المقبل، ويأمل الباحثون أن تمثل التكنولوجيا الجديدة مرحلة جديدة من التطور في صناعة الإلكترونيات الصغيرة، والوصول إلى ما هو أكثر تطورا من مشغل iPod والهواتف المحمولة.

ويتوقع الباحثون في معهد ماسوشيتس أن الترانزستورات المصنوعة من السيليكون والتي تشكل مكونا رئيسيا في الأجهزة الصغيرة مثل مشغلات iPod والهواتف المحمولة وأدوات المطبخ ستقف عاجزة أمام حدود الأداء والسعة خلال العشر سنوات أو الخمسة عشرة سنة المقبلة، لذلك يسعى المعهد بالتعاون مع عدد من المراكز والمعاهد الأخرى لايجاد تركيبات أو مواد جديدة تكون أكثر كفاءة من السيليكون.

وأحد أهم المواد المرشحة لخلافة السيليكون هي مادة InGaAs تسافر فيها الإلكترونات أسرع من السيليكون، وقد كشفت معامل معهد ماسوشيوستس مؤخراً عن ترانزستورات مصنوعة من هذه المادة لها قدرة على حمل تيار كهربي أكبر مرتين ونصف عن مثيلتها المصنوعة من السيليكون، وتصل أبعاد هذا الترانزستور إلى 60 نانومتر فقط ويمكن من خلال الترانزستور الجديد تصنيع أجهزة أصغر حجماً وأسرع في معالجة البيانات.

وسيتم عرض هذا الابتكار الذي توصل إليه معهد ماسوشيتس في اجتماع الأجهزة الإلكترونية الدولية في المعهد الدولي لمهندسي الكهرباء والإلكترونيات، غير أن هناك بعض الصعوبات فمادة InGaAs على سبيل المثال تتمتع بقابلية للكسر أعلى من السيليكون، يمثل تصنيع كميات كبيرة من تلك الترانزستورات مشكلة عويصة أمام الباحثين. ووقد أبدت شركة إنتل وهي واحدة من أهم رعاة المعمل اهتمامها بالابتكار الجديد، وقالت أنه يمثل ركنا مهما تنطلق منه سلسلة من أبحاث التطوير.