×
×

سامسونج تطور شريحة الذاكرة OneNAND المميزة

أعلنت شركة سامسونج للإلكترونيات أنها قامت بمضاعفة سعة مجموعة شرائح الذاكرة OneNAND Flash إلى 2 غيغا بايت كما عززت من سرعة “الكتابة” من 9.3 ميغا بايت في الثانية إلى 17 ميغا بايت في الثانية. حيث أوضحت عملاقة الإلكترونيات أنهم نجحوا في تطوير هذه الشريحة باستخدام تقنية 60 نانومتر في عملية إنتاج الشريحة.

ووفقًا لما صرحت به شركة سامسونج، تجمع شريحة OneNAND Flash بين ميزة سرعة”القراءة” المذهلة التي تتمتع بها الذاكرة NOR Flash وميزة سرعة “الكتابة” الفائقة وكبيرة السعة التي تتمتع بها الذاكرة NAND Flash. ولقد تم تصميم هذه الشرائح لتلائم مجموعة كبيرة من التطبيقات، من بينها الهواتف متعددة الوسائط والكاميرات الرقمية وبطاقات الذاكرة المتحركة أجهزة الكمبيوتر وأجهزة التلفاز.

كما يمكن أيضًا توزيع الشرائح على الأجهزة لتحقيق كفاءة أكبر وفي نفس الوقت السماح لكل شريحة بالتفاعل مع النظام الرئيسي على حدة. ومن ثم تؤدي زيادة عدد الشرائح المستخدمة إلى زيادة كم البيانات التي يتم معالجتها. على سبيل المثال، يمكن زيادة كفاءة “كتابة” الشريحة OneNAND لتصل إلى 136 ميغا بايت في الثانية عند استخدم ثمانية شرائح من شرائح الذاكرة 2 غيغا بايت.

علاوة على ذلك، يمكن استخدام الذاكرة كذاكرة تخزين مؤقتة ليس فقط للكتابة في النظام بفضل استخدام سرعات كتابة أسرع من الذاكرة NAND، ولكن أيضًا كذاكرة تخزين مؤقتة لعمليات القراءة فائقة الكفاءة.

  • 222
  • عالم الكمبيوتر
  • computer-pc-news
Dubai, UAE