×
×

“إنتل” تنتج رقاقات ذاكرة بتقنية 45 نانومترزظ

أنتجت شركة إنتل العالمية ما يعتقد أنها أول رقاقة ذاكرة الوصول العشوائي الساكنة ذات الوظائفية الكاملة بواسطة تقنية عمليات 45 نانومتر وهي تقنية من الجيل التالي تابعة للشركة ومستخدمة في تصنيع أشباه الموصلات بأعداد كبيرة.
وبلوغ “إنتل” هذه المحطة التاريخية يعني أنها أحرزت تقدماً كبيراً في تطوير هذه التقنية، ما يؤهلها للبدء في تصنيع الرقاقات بواسطة هذه التقنية في 2007 باستخدام الحلقات الرقاقية بحجم 300 مليمتر.

يذكر أن “إنتل” تقود صناعة الرقاقات في إنتاج أشباه الموصلات بأعداد كبيرة بواسطة عمليات تصنيع 65 نانومتر، إذ تمتلك الشركة منشأتي تصنيع تنتجان رقاقات 65 نانومتر في ولايتي أريزونا وأوريجون، كما تعتزم افتتاح منشأتين عام 2006 في كل من أيرلندا وولاية أوريجون.
وأكد بيل هولت نائب الرئيس المدير العام لمجموعة إنتل للتكنولوجيا والتصنيع فى بيان صحافي للشركة في القاهرة أن نجاح الشركة في استخدام تقنية 65 نانومتر للتصنيع بأعداد كبيرة وإنتاج رقاقة 45 نانومتر هما خير برهان على موقع “إنتل” الرائد في مجال تصنيع الرقاقات.
وأضاف أن تقنية 45 نانومتر ستسمح بإنتاج رقاقات يقل معدل تسريبها للكهرباء خمس مرات عن المعدلات السائدة في الرقاقات الحالية، وسيؤدي ذلك إلى إطالة عمر البطارية في الأجهزة المتنقلة وإلى زيادة فرص تصنيع منصات أصغر وأقوى.
وتضم تقنية 45 نانومتر لذاكرة الوصول العشوائي الساكنة SRAM أكثر من مليار ترانزيستور.

  • 4257
  • أخبار قطاع الأعمال
  • itc-company-news
Dubai, UAE